Основные технические параметры 2Т642А-2: 2Т642А-2Транзисторы 2Т642А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1. 8, 15 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Транзисторы 2Т642А-2, КТ640А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Маркируются белой точкой. Транзисторы 2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке. Масса транзистора бескорпусного не более 0, 2 г, кристалла не более 0, 0002 г. Основные технические характеристики транзистора 2Т642А-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В) ; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1, 1 пФ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0, 1 Вт на частоте 8 ГГц
Промышленное