Транзисторы 2Т920В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50. 200 МГц при напряжении питания 12, 6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4, 5 г. Тип корпуса: КТ-17. Технические условия: И93. 365. 028 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т920В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7, 5 мА (36В) ; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ; • Ку. р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 175 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
Усилители и ресиверы